Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IGB10N60TATMA1
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-263-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 24 A
Pd - рассеивание мощности 110 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия TRENCHSTOP IGBT
Квалификация Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
