Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IKB15N65EH5ATMA1
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon s 650 V, 15 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications.
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-263-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Pd - рассеивание мощности 105 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия 650V TRENCHSTOP 5
Квалификация Неизвестно
Упаковка Cut Tape, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
