Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / HGTD1N120BNS9A
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-252AA-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 5.3 A
Pd - рассеивание мощности 60 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия HGTD1N120BNS
Квалификация Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
