IGB15N65S5ATMA1

Технология Si

Упаковка / блок TO-263-3

Вид монтажа SMD/SMT

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.35 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A

Pd - рассеивание мощности 105 W

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Серия Неизвестно

Квалификация Неизвестно

Упаковка Cut Tape, Reel