IXBT16N170AHV

Есть ROHS

Описание:

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT

Характеристики

Технология Si

Упаковка / блок TO-268HV-2

Вид монтажа SMD/SMT

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 6 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 16 A

Pd - рассеивание мощности 150 W

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно

Квалификация Неизвестно

Упаковка Неизвестно

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос