Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / FGA4060ADF
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT proliferation
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-3PN
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
Pd - рассеивание мощности 238 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия FGA4060ADF
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
