Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / BSM75GAR120DN2
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A GAR CH
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок IS4 (34 mm )-5
Вид монтажа Chassis Mount
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
Pd - рассеивание мощности 625 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия Неизвестно
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
