Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXGE200N60B
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 175 Amps 600V 2.1 Rds
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок ISOPLUS 227-4
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single Dual Emitter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Неизвестно
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия IXGE200N60
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару