FGA50N100BNTDTU

Технология Si

Упаковка / блок TO-3P-3

Вид монтажа Through Hole

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1000 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C Неизвестно

Pd - рассеивание мощности 156 W

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия FGA50N100BNTD

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube