Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IRG7PH35UDPBF
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Pd - рассеивание мощности 180 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия Неизвестно
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару