Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXDP20N60BD1
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 600V
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-220-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 32 A
Pd - рассеивание мощности 140 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия IXDP20N60B
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару