Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IKZ75N65ES5XKSA1
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) To further enhance the best-in-class performance of the TRENCHSTOP 5 IGBT technology, Infineon offers the technology in a high power package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides u
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-4
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.42 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
Pd - рассеивание мощности 395 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия TRENCHSTOP 5 S5
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
