Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IKW30N65H5XKSA1
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthroug
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Неизвестно
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Неизвестно
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Неизвестно
Максимальное напряжение затвор-эмиттер Неизвестно
Непрерывный коллекторный ток при 25 C Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура Неизвестно
Серия TRENCHSTOP 5 H5
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
