Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / HGTG11N120CND
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 43 A
Pd - рассеивание мощности 298 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия HGTG11N120CND
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
