Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXYN100N120C3
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок SOT-227B-4
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.9 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 152 A
Pd - рассеивание мощности 830 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия IXYN100N120
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
