Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IGD01N120H2
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-252-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Неизвестно
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия IGD01N120
Квалификация Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
