Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / STGWA8M120DF3
Нет ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 16 A
Pd - рассеивание мощности 167 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия STGWA8M120DF3
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
