Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / STGB3NC120HDT4
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок D2PAK
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Неизвестно
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.3 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 14 A
Pd - рассеивание мощности 75 W
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура Неизвестно
Серия STGB3NC120HD
Квалификация Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
