Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / FGY120T65SPD-F085
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Trench IGBT Gen3
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 240 A
Pd - рассеивание мощности 882 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия FGY120T65S_F085
Квалификация AEC-Q101
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
