Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / DGTD65T15H2TF
Нет ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок ITO-220AB-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер Неизвестно
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Pd - рассеивание мощности 48 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия Неизвестно
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару