Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / STGD3NB60SDT4
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 3 Amp
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-252-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 6 A
Pd - рассеивание мощности 48 W
Минимальная рабочая температура - 65 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия STGD3NB60SD
Квалификация AEC-Q101
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
