Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / FF225R12ME4PBPSA1
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO
Характеристики
Технология Si
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Half Bridge
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 450 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 20 mW
Упаковка / блок Module
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
