Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / MG12600WB-BR2MM
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 V 600 A IGBT
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 750 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 2500 W
Упаковка / блок Package WB
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Bulk
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
