APTGT100H170G

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Full Bridge

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A

Ток утечки затвор-эмиттер 500 nA

Pd - рассеивание мощности 560 W

Упаковка / блок SP6

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 100 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube