FP50R12KT4PBPSA1

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO

Характеристики

Технология Si

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация 3-Phase

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A

Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA

Pd - рассеивание мощности Неизвестно

Упаковка / блок EconoPIM2

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос