Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / IXGH64N60B3
Нет ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.59 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 400 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Упаковка / блок TO-247AD-3
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
