Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / APTGT450DA60G
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6197
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 550 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
Pd - рассеивание мощности 1.75 kW
Упаковка / блок SP6
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 100 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
