Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / FS200R12PT4PBOSA1
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO
Характеристики
Технология Si
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация IGBT-Inverter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 200 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Pd - рассеивание мощности 20 mW
Упаковка / блок 130 mm x 103 mm x 20.55 mm
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
