APTGT400TL65G

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Неизвестно

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 500 A

Ток утечки затвор-эмиттер 1.2 uA

Pd - рассеивание мощности 1.15 kW

Упаковка / блок SP6

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 100 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube