APTGT600U120D4G

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 900 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 2.5 kW

Упаковка / блок D4-5

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Bulk