Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / FP25R12W1T7B11BPSA1
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module with TRENCHSTOP IGBT7
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация PIM
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 25 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Упаковка / блок AG-EASY1B-2
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
