APTGT30H60T1G

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Full Bridge

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A

Ток утечки затвор-эмиттер 300 nA

Pd - рассеивание мощности 90 W

Упаковка / блок SP1-12

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 100 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube