APTGT50A170TG

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4076

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 312 W

Упаковка / блок SP4

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 100 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос