FF800R12KE3

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1200 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 3.9 kW

Упаковка / блок IHM130

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray