Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / FP15R06W1E3
Нет ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 22A
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Array 7
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 22 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 81 W
Упаковка / блок EASY1B
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
