FF1400R12IP4

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1400 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 7.65 kW

Упаковка / блок PRIME3

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray