Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / FZ1000R33HL3
Нет ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1KA
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 3300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Неизвестно
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1000 A
Ток утечки затвор-эмиттер Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Упаковка / блок IHVB130
Минимальная рабочая температура - 50 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару