Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / APTGLQ50DDA65T3G
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3213
Характеристики
Технология -
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 70 A
Ток утечки затвор-эмиттер 150 nA
Pd - рассеивание мощности 175 W
Упаковка / блок SP3F
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 125 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
