Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / STGIPN3H60T-H
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация 3-Phase Inverter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 3 A
Ток утечки затвор-эмиттер -
Pd - рассеивание мощности 8 W
Упаковка / блок NDIP-26L
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
