NXH80B120H2Q0SG

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE

Характеристики

Технология SiC

Продукт IGBT Silicon Carbide Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A

Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA

Pd - рассеивание мощности 103 W

Упаковка / блок Q0BOOST

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос