FZ600R17KE3

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.07KA

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1070 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 3150 W

Упаковка / блок 62 mm

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос