FF900R12IP4

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 900 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 5.1 kW

Упаковка / блок PRIME2

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос