Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / APT100GT120JRDQ4
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V,100A, SOT-227
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 123 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
Pd - рассеивание мощности 570 W
Упаковка / блок ISOTOP-4
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
