FF400R12KE3

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 580 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 2 kW

Упаковка / блок 62 mm

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray