FP100R06KE3

Нет ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 100A

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Array 7

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A

Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA

Pd - рассеивание мощности 335 W

Упаковка / блок Econo 3

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос