IXYN30N170CV1

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V/85A High Voltage XPT IGBT

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Single Dual Emitter

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 88 A

Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA

Pd - рассеивание мощности 680 W

Упаковка / блок Module

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос