FF200R12KT4

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320A

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Неизвестно

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 320 A

Ток утечки затвор-эмиттер Неизвестно

Pd - рассеивание мощности Неизвестно

Упаковка / блок 62 mm

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос