Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / APTGT100H60T3G
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3006
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Quad
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 340 W
Упаковка / блок SP-3
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
