Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / APTGT50DDA120T3G
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3089
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 270 W
Упаковка / блок SP3F-32
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 125 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
