IXGH60N60C3D1

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Неизвестно

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Неизвестно

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 600 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A

Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA

Pd - рассеивание мощности 380 W

Упаковка / блок TO-247AD-3

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос